Numéro de produit du fabricant:
CSD23202W10T
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD23202W10T-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Description détaillée:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Inventaire:
15659 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818467
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SOUMETTRE
CSD23202W10T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
512 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-DSBGA (1x1)
Emballage / Caisse
4-UFBGA, DSBGA
Numéro de produit de base
CSD23202
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
296-38338-6
296-38338-1
296-38338-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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