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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IRF2204LPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF2204LPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 170A TO262
Description détaillée:
N-Channel 40 V 170A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
Demande de devis en ligne
13064106
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SOUMETTRE
IRF2204LPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 130A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5890 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IRF2204LPBF-DG
Fiches techniques
IRF2204LPBF
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001574580
*IRF2204LPBF
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB120N4F6
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
944
NUMÉRO DE PIÈCE
STB120N4F6-DG
PRIX UNITAIRE
0.93
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STI270N4F3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
888
NUMÉRO DE PIÈCE
STI270N4F3-DG
PRIX UNITAIRE
2.55
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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