Numéro de produit du fabricant:
IRF7807VD1TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7807VD1TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
13064109
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SOUMETTRE
IRF7807VD1TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
FETKY™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRF7807VD1PBFDKR
IRF7807VD1TRPBFTR-ND
*IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1TRPBF-ND
IRF7807VD1PBFCT
SP001554420
IRF7807VD1PBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8884
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
7218
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8884-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
MCQ4822-TP
FABRICANT
Micro Commercial Co
QUANTITÉ DISPONIBLE
24952
NUMÉRO DE PIÈCE
MCQ4822-TP-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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