Numéro de produit du fabricant:
IQE220N15NM5ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IQE220N15NM5ATMA1-DG
Description:
TRENCH >=100V
Description détaillée:
N-Channel 150 V 7A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-5
Inventaire:
13002368
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SOUMETTRE
IQE220N15NM5ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta), 44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 46µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TSON-8-5
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IQE220N15NM5ATMA1TR
SP005399457
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSM3K121TU
MOSFET N-CH 20V 3.5A SC70
SIHA150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
AO4485
SOP-8 MOSFETS ROHS
