Numéro de produit du fabricant:
IPP80N06S3L-05
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP80N06S3L-05-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 165W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
12802894
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPP80N06S3L-05 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 115µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13060 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP80N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
IPP80N06S3L-05-DG
SP000102206
IPP80N06S3L05XK
IPP80N06S3L-05IN
IPP80N06S3L05X
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF3808PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
767
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF3808PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.06
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
IRF8306MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
