Numéro de produit du fabricant:
IRF8306MTRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF8306MTRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventaire:
12802897
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF8306MTRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Ta), 140A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4110 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 75W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Numéro de produit de base
IRF8306
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
INFINFIRF8306MTRPBF
SP001572242
2156-IRF8306MTRPBF
2156-IRF8306MTRPBF-ITTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3