Numéro de produit du fabricant:
FCP190N65F
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP190N65F-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
1600 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12845181
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SOUMETTRE
FCP190N65F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3225 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP190
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-FCP190N65F-OS
ONSONSFCP190N65F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP22N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP22N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.67
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105
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
1.36
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