Numéro de produit du fabricant:
IPP60R190E6XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP60R190E6XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
1985 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12853263
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPP60R190E6XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
151W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP60R190
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
IPP60R190E6-DG
448-IPP60R190E6XKSA1
IPP60R190E6XKSA1-DG
IPP60R190E6
SP000797378
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP24N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
189
NUMÉRO DE PIÈCE
STP24N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP65R190E6XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
580
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP65R190E6XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.52
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
STP28N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1020
NUMÉRO DE PIÈCE
STP28N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.40
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
AOT25S65L
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
AOT25S65L-DG
PRIX UNITAIRE
1.99
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R190C6XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
4500
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R190C6XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.40
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFR120NCPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
MMBF170LT3
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
