Numéro de produit du fabricant:
IPD60R600E6ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD60R600E6ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaire:
12803799
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SOUMETTRE
IPD60R600E6ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ E6
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
440 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD60R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
IPD60R600E6ATMA1-DG
448-IPD60R600E6ATMA1TR
INFINFIPD60R600E6ATMA1
SP001117094
2156-IPD60R600E6ATMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK11P65W,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
485
NUMÉRO DE PIÈCE
TK11P65W,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.74
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STD12N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4977
NUMÉRO DE PIÈCE
STD12N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.59
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8P60W,RVQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8P60W,RVQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.97
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FCD850N80Z
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
15910
NUMÉRO DE PIÈCE
FCD850N80Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.96
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY8N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
20
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY8N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.22
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
IPI70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
