Numéro de produit du fabricant:
IRFU4105
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFU4105-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventaire:
12803804
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SOUMETTRE
IRFU4105 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK (TO-251AA)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
*IRFU4105
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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