Numéro de produit du fabricant:
IPB015N04NGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB015N04NGATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
2165 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803164
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SOUMETTRE
IPB015N04NGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
20000 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB015
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB015N04N G-DG
IPB015N04N G
IPB015N04N GDKR
IPB015N04NGATMA1CT
IPB015N04N GDKR-DG
SP000391522
IPB015N04N GTR
IPB015N04N GCT-DG
IPB015N04NGATMA1TR
IPB015N04N GCT
IPB015N04NG
IPB015N04N GTR-DG
IPB015N04NGATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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