Numéro de produit du fabricant:
IRF7701TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7701TRPBF-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
Description détaillée:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventaire:
12803174
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SOUMETTRE
IRF7701TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5050 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSSOP
Emballage / Caisse
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRF7701TRPBFDKR
IRF7701TRPBFTR
IRF7701TRPBF-DG
IRF7701TRPBFCT
SP001559976
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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