Numéro de produit du fabricant:
AUIRF9Z34N
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AUIRF9Z34N-DG
Description:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Description détaillée:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12802996
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SOUMETTRE
AUIRF9Z34N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
620 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2166-AUIRF9Z34N-448
SP001521042
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9Z34NPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
78565
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9Z34NPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9Z34PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1262
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF9Z34PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.69
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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