Numéro de produit du fabricant:
IPA65R225C7
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA65R225C7-DG
Description:
IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Description détaillée:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Inventaire:
12946741
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPA65R225C7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
996 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
29W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-111
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
213
Autres noms
INFINFIPA65R225C7
2156-IPA65R225C7
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
IRL7486MTRPBF
IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
FQPF3N25
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
AUIRF1405ZL
MOSFET N-CH 55V 150A TO262