Numéro de produit du fabricant:
IPA093N06N3GXKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Description détaillée:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventaire:
12799559
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SOUMETTRE
IPA093N06N3GXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3900 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-31
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA093
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-IPA093N06N3GXKSA1-448
IPA093N06N3 G
SP000451088
IPA093N06N3 G-DG
IPA093N06N3G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK40A06N1,S4X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
480
NUMÉRO DE PIÈCE
TK40A06N1,S4X-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
AOTF2610L
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
AOTF2610L-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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