IPA040N06NXKSA1
Numéro de produit du fabricant:

IPA040N06NXKSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPA040N06NXKSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Description détaillée:
N-Channel 60 V 69A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventaire:

12799572
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IPA040N06NXKSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
69A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3375 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA040

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
448-IPA040N06NXKSA1
IPA040N06NXKSA1-DG
SP001196264

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

BSS127H6327XTSA2

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

infineon-technologies

IMW120R350M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

infineon-technologies

IPA65R190C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

infineon-technologies

IPB042N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK