Numéro de produit du fabricant:
IGLD60R070D1AUMA3
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IGLD60R070D1AUMA3-DG
Description:
GANFET N-CH
Description détaillée:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventaire:
1584 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965620
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IGLD60R070D1AUMA3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolGaN™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (max.)
-10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
380 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
114W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-LSON-8-1
Emballage / Caisse
8-LDFN Exposed Pad
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
448-IGLD60R070D1AUMA3DKR
SP005557209
448-IGLD60R070D1AUMA3CT
448-IGLD60R070D1AUMA3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R6509END3TL1
650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
IGOT60R042D1AUMA2
GANFET N-CH
BSS138BWAHZGT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
