Numéro de produit du fabricant:
R6509END3TL1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6509END3TL1-DG
Description:
650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Description détaillée:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
4440 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965621
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SOUMETTRE
R6509END3TL1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
430 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
94W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
R6509
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
846-R6509END3TL1TR
846-R6509END3TL1CT
846-R6509END3TL1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IGOT60R042D1AUMA2
GANFET N-CH
BSS138BWAHZGT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
PJE138K-AU_R1_000A1
SOT-523, MOSFET
