Numéro de produit du fabricant:
BTS282ZE3230AKSA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BTS282ZE3230AKSA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Description détaillée:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-7-12
Inventaire:
12799053
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SOUMETTRE
BTS282ZE3230AKSA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
TEMPFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
49 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Temperature Sensing Diode
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-7-12
Emballage / Caisse
TO-220-7
Numéro de produit de base
BTS282
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP000969786
INFINFBTS282ZE3230AKSA2
2156-BTS282ZE3230AKSA2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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