Numéro de produit du fabricant:
BSC042NE7NS3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC042NE7NS3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventaire:
34469 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799060
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SOUMETTRE
BSC042NE7NS3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 91µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4800 pF @ 37.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC042
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC042NE7NS3 GTR-DG
BSC042NE7NS3G
2156-BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1TR
BSC042NE7NS3 GCT-DG
BSC042NE7NS3 G-DG
SP000657440
BSC042NE7NS3 GDKR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3 G
BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC042NE7NS3 GTR
BSC042NE7NS3GATMA1CT
INFINFBSC042NE7NS3GATMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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