Numéro de produit du fabricant:
BSD816SNL6327HTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSD816SNL6327HTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventaire:
12799410
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SOUMETTRE
BSD816SNL6327HTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 2.5V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 3.7µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
180 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT363-PO
Emballage / Caisse
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-DG
SP000464868
BSD816SNL6327HTSA1CT
BSD816SNL6327HTSA1TR
BSD816SN L6327DKR
BSD816SNL6327HTSA1DKR
BSD816SN L6327DKR-DG
BSD816SN L6327TR-DG
BSD816SNL6327
BSD816SN L6327
BSD816SN L6327-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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