Numéro de produit du fabricant:
BSC0902NSATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC0902NSATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventaire:
8545 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799416
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SOUMETTRE
BSC0902NSATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1700 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-6
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC0902
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC0902NSCT-DG
BSC0902NSATMA1TR
BSC0902NSTR-DG
IFEINFBSC0902NSATMA1
BSC0902NS
BSC0902NSDKR-DG
BSC0902NSCT
SP000800246
BSC0902NSATMA1DKR
BSC0902NSTR
BSC0902NSDKR
BSC0902NSATMA1CT
2156-BSC0902NSATMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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