Numéro de produit du fabricant:
BSC350N20NSFDATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC350N20NSFDATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Description détaillée:
N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventaire:
3864 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799043
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSC350N20NSFDATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2410 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC350
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC350N20NSFDATMA1CT
BSC350N20NSFDATMA1DKR
BSC350N20NSFDATMA1-DG
BSC350N20NSFDATMA1TR
SP001108124
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
