BSC123N10LSGATMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSC123N10LSGATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSC123N10LSGATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Description détaillée:
N-Channel 100 V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventaire:

27828 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12835254
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SOUMETTRE

BSC123N10LSGATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 72µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4900 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
114W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC123

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC123N10LS GTR-DG
BSC123N10LSGATMA1CT
BSC123N10LS GDKR
BSC123N10LS GDKR-DG
BSC123N10LS G
BSC123N10LS GTR
BSC123N10LS G-DG
BSC123N10LS GCT-DG
BSC123N10LS GCT
BSC123N10LSGATMA1DKR
BSC123N10LSGATMA1TR
SP000379612

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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