Numéro de produit du fabricant:
2N7000-D26Z
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7000-D26Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
14242 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12835294
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SOUMETTRE
2N7000-D26Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
2N7000
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
2N7000-D26ZTR
2N7000_D26ZDKR-DG
2N7000_D26ZDKRINACTIVE-DG
2N7000_D26Z-DG
2N7000-D26ZDKRINACTIVE
2N7000D26Z
2N7000_D26ZCT
ONSONS2N7000-D26Z
2N7000_D26ZCT-DG
2N7000-D26ZCT
2N7000_D26Z
2N7000_D26ZTR
2N7000_D26ZTR-DG
2156-2N7000-D26Z-OS
2N7000_D26ZDKRINACTIVE
2N7000_D26ZDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
3LP01SS-TL-EX
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP
CPH6443-TL-H
MOSFET N-CH 35V 6A 6CPH
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
