BSC059N04LSGATMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSC059N04LSGATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSC059N04LSGATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 73A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Inventaire:

44864 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13063921
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SOUMETTRE

BSC059N04LSGATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 73A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 23µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3200 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-5
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC059

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC059N04LS GCT
BSC059N04LS GDKR-ND
BSC059N04LS G
BSC059N04LS G-ND
BSC059N04LSGATMA1TR
BSC059N04LSG
BSC059N04LS GCT-ND
BSC059N04LS GTR-ND
BSC059N04LS GDKR
SP000391499
BSC059N04LSGATMA1DKR
BSC059N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND
BSC059N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC059N04LSGATMA1CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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