Numéro de produit du fabricant:
IPC218N06N3X7SA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPC218N06N3X7SA1-DG
Description:
MV POWER MOS
Description détaillée:
N-Channel 60 V Surface Mount Die
Inventaire:
13063935
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SOUMETTRE
IPC218N06N3X7SA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Bulk
Série
OptiMOS™ 3
Emballage
Bulk
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Vgs (max.)
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Numéro de produit de base
IPC218
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
IPC218N06N3X7SA1-ND
448-IPC218N06N3X7SA1
SP001155554
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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