IRF9Z34PBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF9Z34PBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF9Z34PBF-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Description détaillée:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

1262 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12923859
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRF9Z34PBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
88W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF9Z34

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
*IRF9Z34PBF

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
microsemi

JAN2N6796U

MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

onsemi

HUF75852G3

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

onsemi

NVMFS5885NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN

onsemi

2SK4197FS

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3