Numéro de produit du fabricant:
ICE19N60L
Product Overview
Fabricant:
IceMOS Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ICE19N60L-DG
Description:
Superjunction MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 236W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Inventaire:
6000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992670
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
ICE19N60L Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
IceMOS Technology
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
220mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2064 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
236W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-DFN (8x8)
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
5133-ICE19N60LTR
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJ123ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
FQD9N25TM-SBEK002
MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA
DMP22D5UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
