SQJ123ELP-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQJ123ELP-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQJ123ELP-T1_GE3-DG

Description:

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Description détaillée:
P-Channel 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

6000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992674
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SOUMETTRE

SQJ123ELP-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
238A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11680 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJ123ELP-T1_GE3CT
742-SQJ123ELP-T1_GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FQD9N25TM-SBEK002

MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

diodes

DMP22D5UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-

diodes

DMN2992UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMP3011SPSW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506