RFP50N06
Numéro de produit du fabricant:

RFP50N06

Product Overview

Fabricant:

Harris Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RFP50N06-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

665 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13075860
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SOUMETTRE

RFP50N06 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2020 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
131W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
RFP50N06

Informations supplémentaires

Forfait standard
278
Autres noms
2156-RFP50N06-HC
HARHARRFP50N06

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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