Numéro de produit du fabricant:
FQAF19N60
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQAF19N60-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
681 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13075927
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SOUMETTRE
FQAF19N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
QFET®
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
114
Autres noms
FAIFSCFQAF19N60
2156-FQAF19N60-FS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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