Numéro de produit du fabricant:
IRFD213
Product Overview
Fabricant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD213-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Description détaillée:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventaire:
5563 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12817576
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SOUMETTRE
IRFD213 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
450mA (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
468
Autres noms
HARHARIRFD213
2156-IRFD213-HC
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
