FDD2612

Numéro de produit du fabricant:

FDD2612

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDD2612-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252

Description détaillée:

N-Channel 200 V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventaire:

2261 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12817589

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SOUMETTRE

FDD2612 Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Emballage

Bulk

Série

PowerTrench®

État du produit

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

200 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

4.9A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

rds activé (max) @ id, vgs

720mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

234 pF @ 100 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

42W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

TO-252 (DPAK)

Emballage / Caisse

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

360

Autres noms

2156-FDD2612-FSTR

FAIFSCFDD2612

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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