SSFU6511
Numéro de produit du fabricant:

SSFU6511

Product Overview

Fabricant:

Good-Ark Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SSFU6511-DG

Description:

MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 32.6W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventaire:

1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12999530
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SOUMETTRE

SSFU6511 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Good Ark Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
870 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
4786-SSFU6511

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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