Numéro de produit du fabricant:
GT750P10M
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT750P10M-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Description détaillée:
P-Channel 100 V 24A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
800 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13239068
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SOUMETTRE
GT750P10M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1902 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
79W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
3141-GT750P10MTR
3141-GT750P10MCT
3141-GT750P10MDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
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