GT400P10M
Numéro de produit du fabricant:

GT400P10M

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

GT400P10M-DG

Description:

MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Description détaillée:
P-Channel 100 V 35A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventaire:

800 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13239083
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SOUMETTRE

GT400P10M Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3073 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
106W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
3141-GT400P10MCT
3141-GT400P10MTR
3141-GT400P10MDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
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