Numéro de produit du fabricant:
GT105N10T
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT105N10T-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Description détaillée:
N-Channel 55A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
13001241
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SOUMETTRE
GT105N10T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
-
Série
SGT
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
4822-GT105N10T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFP4468PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
AS1M080120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DI017N06PQ-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6 N 60V
