Numéro de produit du fabricant:
AS1M080120P
Product Overview
Fabricant:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AS1M080120P-DG
Description:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
92 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001249
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SOUMETTRE
AS1M080120P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Anbon Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
98mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1475 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
192W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
4530-AS1M080120P
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DI017N06PQ-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6 N 60V
TSM60NB900CH
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IPP015N04NF2SAKMA1
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