Numéro de produit du fabricant:
GT035N10T
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT035N10T-DG
Description:
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Description détaillée:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
64 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997605
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
GT035N10T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6057 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
3141-GT035N10T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
GT007N04TL
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
G60N10K
N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
G60N10K
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
