Numéro de produit du fabricant:
G65P06F
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G65P06F-DG
Description:
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Description détaillée:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventaire:
48 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992785
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SOUMETTRE
G65P06F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6477 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
3141-G65P06F
4822-G65P06F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQA470CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
ISC058N04NM5ATMA1
40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
TK5R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
