Numéro de produit du fabricant:
ISC058N04NM5ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ISC058N04NM5ATMA1-DG
Description:
40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Description détaillée:
N-Channel 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventaire:
27917 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992828
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SOUMETTRE
ISC058N04NM5ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™-5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8 FL
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
ISC058N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-ISC058N04NM5ATMA1TR
448-ISC058N04NM5ATMA1CT
SP005399119
448-ISC058N04NM5ATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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