G58N06K
Numéro de produit du fabricant:

G58N06K

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G58N06K-DG

Description:

N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Description détaillée:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaire:

2385 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13004172
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SOUMETTRE

G58N06K Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2841 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
71W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-G58N06KCT
3141-G58N06KTR
4822-G58N06KTR
3141-G58N06KDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
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FK3306010L

TMOS-GENERAL SWITCHING

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MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,

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N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH

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