G7K2N20LLE
Numéro de produit du fabricant:

G7K2N20LLE

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G7K2N20LLE-DG

Description:

N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Description détaillée:
N-Channel 200 V 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L

Inventaire:

2823 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13004186
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SOUMETTRE

G7K2N20LLE Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
577 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-6L
Emballage / Caisse
SOT-23-6

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
3141-G7K2N20LLEDKR
4822-G7K2N20LLETR
3141-G7K2N20LLECT
3141-G7K2N20LLETR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
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