Numéro de produit du fabricant:
G50N03J
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G50N03J-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Description détaillée:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000702
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SOUMETTRE
G50N03J Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-G50N03J
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT64M1LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMP2067LSS-13
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