DMT69M5LCG-13
Numéro de produit du fabricant:

DMT69M5LCG-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT69M5LCG-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Description détaillée:
N-Channel 60 V 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) 1.37W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Inventaire:

13000905
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SOUMETTRE

DMT69M5LCG-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1406 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.37W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
V-DFN3333-8 (Type B)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMT69M5LCG-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMT69M5LCG-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT69M5LCG-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.22
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

SCT4036KEHRC11

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

diodes

DMTH8008SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

taiwan-semiconductor

TSM240N03CX

30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

diodes

BSS138WQ-7-F

BSS FAMILY SOT323 T&R 3K