Numéro de produit du fabricant:
G2012
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G2012-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
Description détaillée:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000381
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SOUMETTRE
G2012 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (max.)
±10V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-DFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-G2012TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V
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P-CHANNEL 200V
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MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
