Numéro de produit du fabricant:
G10N03S
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G10N03S-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Description détaillée:
N-Channel 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventaire:
13000386
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SOUMETTRE
G10N03S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
4822-G10N03STR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G10N03S
FABRICANT
Goford Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
3730
NUMÉRO DE PIÈCE
G10N03S-DG
PRIX UNITAIRE
0.11
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJA20EP-T1_BE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
DMT8008SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMNH15H110SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
