DMNH15H110SPS-13
Numéro de produit du fabricant:

DMNH15H110SPS-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMNH15H110SPS-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Description détaillée:
N-Channel 150 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventaire:

13000398
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SOUMETTRE

DMNH15H110SPS-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
989 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMNH15

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMNH15H110SPS-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
goford-semiconductor

G10N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M

panjit

PSMP075N15NS1_T0_00601

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

vishay-siliconix

SI2323DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRLR110TRPBF-BE3

N-CHANNEL 100V