FDBL86066-F085AW
Numéro de produit du fabricant:

FDBL86066-F085AW

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDBL86066-F085AW-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Description détaillée:
N-Channel 100 V 185A (Tc) 300W (Ta) Surface Mount 8-HPSOF

Inventaire:

12994068
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SOUMETTRE

FDBL86066-F085AW Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
185A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3240 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HPSOF
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Numéro de produit de base
FDBL86066

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
488-FDBL86066-F085AWTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDBL86066-F085
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
3306
NUMÉRO DE PIÈCE
FDBL86066-F085-DG
PRIX UNITAIRE
1.56
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IMT65R048M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

icemos-technology

ICE15N73FP

Superjunction MOSFET

infineon-technologies

IQE065N10NM5CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET